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第十一章 被迫装逼

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师解释,反正坐一会也不会死,还是不解释的好,不然很有可能说不清楚。

    看到乐远坐了回去,老教师又问道:“那你们有谁知道,这三个阶段具体是什么?”

    这下他说完,再没有一个人举手了,老教师看到这种情况,笑着鼓励道:“没事,能说多少就说多少,哪怕说的不对也没关系。”

    可是即便他这样说,还是依旧没有人举手,老教师皱了皱眉头道:“刚才那个同学,你站起来回答一下。”

    乐远看老头看过来,差点没有骂出来,howoldareme!为什么老是我!

    但他也只能老老实实回答,因为相对于解释自己的来历,这个问题要更简单一些。

    他站了起来,看着前排的人,不管男女都转头看他,大部分人都带着好奇的目光,当然也有几个是幸灾乐祸的。

    乐远捋了捋根本不存在的袖子,侃侃而谈起来:“器件的种类繁多,具体要求各异,但总的说来,可分为杂质工程、缺陷工程、能带工程三个阶段。所谓杂质工程是控制材料中的杂质以实现器件的功能。半导体材料的杂质中有有害的一面和有利的一面。”

    他一开口就是专业术语,听起来有板有眼的,除了老教师一边听一边点头,其他人都是一脸的不明觉厉。

    “为此,首先进行超提纯以提高材料的总体纯度。然后掺入所需的杂质以形成导电类型、电阻率、p—n结、发光能级与中心、半导体和金属间的欧姆接触等。缺陷工程是消除缺陷和有意引入缺陷以实现器件功能。

    半导体材料中的缺陷在大多数的情况下都是有害的,因此半导体材料制备的重点是放在半导体晶体生长方面,其目的之一是消除材料中的晶体缺陷,包括晶界、位错、微缺陷等,并在加工过程中防止引入二次缺陷。”

    说着说着,乐远又想起了从前上学还有在研究所的日子,反而更来劲了。

    “利用缺陷的作用的例子是硅的晶片吸34除和利用深能级制备半绝缘砷化镓单晶。能带工程是按设计的能带结构以制备薄膜与器件。这包括半导体异质结、量子阱、半导体超晶格,后二者要求材料制备成达到原子级的精度的微结构。以上对杂质、缺陷、能带结构的控制均属材料的内在质量,此外半导体材料是以一定的几何形状提供给器件制备过程。”

    说到这里,乐远已经基本上把三个阶段说清楚了,但是他还是继续说道:“为了满足上述要求,在制备工艺又要分为:材料超提纯,半导体晶体生长……”

    老教师之前一直在认真听他说话,忽然听到制备工艺都要出来了,赶忙打断道:“好好好!说到这里就行了,再说下去,就不是这本书上面的了。”

    而其他人,也都已经目瞪口呆,看着乐远,那眼神就跟看到外星人似的。特别是之前幸灾乐祸的那几个人,这个时候也是一万只艹泥马从心中奔腾而过。

    乐远微微一笑:“您老满意么?”
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